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一种GaN基LED外延片及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510035444.X
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2005-06-23
  • 申请人:
    华南师范大学
著录项信息
专利名称一种GaN基LED外延片及其制备方法
申请号CN200510035444.X申请日期2005-06-23
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2006-12-27公开/公告号CN1885572
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人华南师范大学申请人地址
广东省广州市天河区石牌街华南师范大学科研处 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华南师范大学当前权利人华南师范大学
发明人李述体;范广涵
代理机构广州粤高专利代理有限公司代理人禹小明
摘要
本发明涉及半导体光电子器件领域,特别是一种新型结构的GaN基LED外延片及其制备方法。该新型的GaN基LED外延片的结构从下至上依次为衬底、n型层、量子阱、限制层、缓冲层及p型层,其特点是p型层为空穴浓度为2×1018~6×1018cm-3的掺受主的GaP层,并在缓冲层与量子阱之间生长一n型限制层。p型层空穴浓度增大,可降低p型层电阻,外加电压下能增加空穴的注入,并使电流扩散更均匀。同时,限制层能克服由于GaP禁带宽度小,对量子阱内电子和空穴的限制作用小的缺点,大大增强对量子阱内的电子和空穴起限制作用,增大量子阱中电子和空穴的复合,从而明显改善GaN基LED的性能。

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