加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种SiC器件终端结构的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510240413.1
  • IPC分类号:H01L21/04
  • 申请日期:
    2015-05-13
  • 申请人:
    国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司
著录项信息
专利名称一种SiC器件终端结构的制作方法
申请号CN201510240413.1申请日期2015-05-13
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-01-04公开/公告号CN106298468A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/04IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;4查看分类表>
申请人国网智能电网研究院;国家电网公司;国网浙江省电力公司申请人地址
北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人国网智能电网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司当前权利人国网智能电网研究院,国家电网公司,国网浙江省电力公司
发明人李玲;杨霏;田亮
代理机构北京安博达知识产权代理有限公司代理人徐国文
摘要
本发明公开了一种SiC器件终端结构的制作方法,该法包括:在第一种导电类型离子3注入时,首先刻蚀注入掩膜2,形成刻蚀窗口,再刻蚀第二种导电类型的SiC衬底1,形成刻蚀凹槽,接着进行第一种导电类型离子3注入,形成SiC器件终端结构中第一种导电类型注入区4,该方法在采用较低离子注入能量的情况下,增大了SiC器件终端结构中离子注入区的深度,提高了器件的反向击穿电压,提高了器件性能,且工艺简单,易于实现。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供