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沉积二氧化硅薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310150780.3
IPC分类号：C23C16/40;C23C16/44;H01L21/316
申请日期：
2013-04-26
申请人：
SPTS科技有限公司

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	沉积二氧化硅薄膜的方法
申请号	CN201310150780.3	申请日期	2013-04-26
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-01-29	公开/公告号	CN103540908A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/40 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/40 氧化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6查看分类表>
申请人	SPTS科技有限公司	申请人地址	英国新港变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	SPTS科技有限公司	当前权利人	SPTS科技有限公司
发明人	凯瑟琳·克鲁克;安德鲁·普赖斯;马克·卡拉瑟斯;丹尼尔·阿查德;斯蒂芬·伯吉斯
代理机构	北京派特恩知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	徐川;张颖玲

摘要

本发明涉及一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法，并且更具体地利用原硅酸四乙酯(TEOS)以等离子体增强化学气相沉积(PECVD)沉积二氧化硅薄膜的方法。该方法可在标准温度下进行，并且也可在用于制造穿透性硅通孔的晶片的低温下进行。

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