用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物

发明专利有效专利

申请号：
CN200810168643.1
IPC分类号：C23F1/16
申请日期：
2008-09-17
申请人：
株式会社东进世美肯

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著录项信息

专利名称	用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物
申请号	CN200810168643.1	申请日期	2008-09-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-03-25	公开/公告号	CN101392375
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23F1/16 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23F 非机械方法去除表面上的金属材料（电浸蚀法加工金属入B23H；火焰法清除表层金属材料入B23K 7/00；用激光束加工金属入B23K 26/00）；金属材料的缓蚀；一般防积垢（电解或电泳法处理金属表面或金属覆层入C25D，C25F）；至少一种在C23大类中所列的方法及至少一种在C21D、C22F小类或者C25大类中所列的方法之多步法金属材料表面处理〔4〕 C23F1/00 金属材料的化学法蚀刻〔2〕 C23F1/10 蚀刻用组合物（C23F 1/44优先）〔4〕 C23F1/14 含水组合物〔4〕 C23F1/16 酸性组合物（C23F 1/42优先）〔4〕	IPC分类号	C;2;3;F;1;/;1;6查看分类表>
申请人	株式会社东进世美肯	申请人地址	韩国仁川广域市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东进世美肯	当前权利人	株式会社东进世美肯
发明人	金南绪;姜东浒;李骐范;曺三永
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	钟晶

摘要

提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。

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