一种抗参数漂移反相器

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201621320920.2
IPC分类号：H03K19/003;H03K19/0944
申请日期：
2016-12-05
申请人：
中国工程物理研究院电子工程研究所

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著录项信息

专利名称	一种抗参数漂移反相器
申请号	CN201621320920.2	申请日期	2016-12-05
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K19/003 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K19/00 逻辑电路，即，至少有两个输入作用于一个输出的（用于应用模糊逻辑的计算机系统的电路入G06N 7/02）；倒向电路 H03K19/003 提高可靠性的改进〔3〕	IPC分类号	H;0;3;K;1;9;/;0;0;3;;;H;0;3;K;1;9;/;0;9;4;4查看分类表>
申请人	中国工程物理研究院电子工程研究所	申请人地址	四川省绵阳市919信箱522分箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所	当前权利人	中国工程物理研究院电子工程研究所
发明人	吕秋叶;解磊;彭勇;杨任花;钟乐;刘鑫;毛光
代理机构	成都天嘉专利事务所（普通合伙）	代理人	蒋斯琪

摘要

本实用新型为一种抗参数漂移反相器，在保证功能正确的前提下，有效得解决外界因素所引起的反相器的参数漂移问题，包括：低噪声容限减小、输出高电平降低和传输特性左移；该反相器结构具有：一个主反相器，一个补偿NMOS管，一条补偿支路，其中补偿支路包括：一个控制NMOS管和一个电流镜结构；主反相器实现正常的反相功能，补偿NMOS管和补偿支路用于补偿外界因素所引起的反相器的参数漂移，此外，控制管还用于控制补偿支路的工作与否，从而有效的将功耗降到最低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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