具有页缓冲器的半导体存储器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN202010190508.8
IPC分类号：G11C16/10;G11C16/24;G06F12/0882
申请日期：
2020-03-18
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	具有页缓冲器的半导体存储器装置
申请号	CN202010190508.8	申请日期	2020-03-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-02-23	公开/公告号	CN112397124A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/10 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;0;;;G;1;1;C;1;6;/;2;4;;;G;0;6;F;1;2;/;0;8;8;2查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	吴星来;金东赫;朴泰成;丁寿男
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	刘久亮;黄纶伟

摘要

具有页缓冲器的半导体存储器装置。公开了一种半导体存储器装置。该半导体存储器装置可包括：存储器单元阵列；以及高速缓存锁存器电路，其被配置为通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多条位线来与存储器单元阵列交换数据，并且包括布置成第一方向上的多列和第二方向上的多行的多个高速缓存锁存器。各个高速缓存锁存器可联接到多个输入/输出IO引脚中的任一个。同时联接到IO引脚的高速缓存锁存器可构成一个IO高速缓存锁存器单元。包括在一个IO高速缓存锁存器单元中的高速缓存锁存器可按2×2阵列单元布置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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