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薄膜晶体管及相关制造技术

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980083752.X
  • IPC分类号:H01L27/12;H01L29/786
  • 申请日期:
    2019-12-05
  • 申请人:
    美光科技公司
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及相关制造技术
申请号CN201980083752.X申请日期2019-12-05
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-08-06公开/公告号CN113228284A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/12IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人美光科技公司申请人地址
美国爱达荷州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人美光科技公司当前权利人美光科技公司
发明人H·A·卡斯特罗;S·W·鲁塞尔;S·H·唐
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司代理人王龙
摘要
描述用于薄膜晶体管及相关制造技术的方法及设备。所述薄膜晶体管可存取安置成交叉点架构的两个或更多个存储器单元层面。所述制造技术可使用形成于复合堆叠的顶层处的一或多个通路图案,其可促进在所述复合堆叠内构建所述薄膜晶体管,同时使用数目减少的处理步骤。通过利用所述通路的不同群组,可使用所述制造技术来构建所述薄膜晶体管的不同配置。此外,可使用本文中所描述的所述薄膜晶体管及基于通路的相关制造技术来构造存储器装置的电路及组件(例如解码器电路系统、一或多个存储器阵列的方面之间的互连件)。

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