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太阳能选择性吸收膜及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN91103789.6
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    1991-06-18
  • 申请人:
    北京市太阳能研究所
著录项信息
专利名称太阳能选择性吸收膜及制备方法
申请号CN91103789.6申请日期1991-06-18
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日1991-11-13公开/公告号CN1056159
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人北京市太阳能研究所申请人地址
北京市海淀区花园路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京市太阳能研究所当前权利人北京市太阳能研究所
发明人郭信章;尹万里;于凤勤
代理机构北京市科技专利事务所代理人谢小延
摘要
本发明涉及的是一种应用于太阳能平板集热器及真空管集热器金属板芯的氮氧化铝太阳能选择性吸收膜层。该膜层采用磁控溅射铝靶在氩气和反应气体氮、氧的气氛中溅射沉积在光亮处理过的金属吸热板上,以金属吸热板作为红外反射层。在不断改变氮氧流量和负偏压中溅射沉积AlNxOy的金属陶瓷型渐变吸收膜层。由于在制备时采用对金属的轰击清洗及负偏压等措施,使膜层与基体结合良好,并在膜层表面沉积一层氧化铝薄膜,具有减反射保护作用,从而提高了抗磨、抗腐蚀性能。其吸收率α=0.90-0.94,红外发射率ε=0.07-0.12。

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