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一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611061526.6
  • IPC分类号:H01L21/266;H01L21/8234;H01L27/088
  • 申请日期:
    2016-11-25
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件及其制造方法
申请号CN201611061526.6申请日期2016-11-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-06-01公开/公告号CN108109908A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/266IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;3;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人李建
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区,所述第一器件区和所述第二器件区的半导体衬底上形成有栅极结构;执行第一掺杂类型的掺杂离子注入,以在所述第一器件区中形成轻掺杂源漏区,同时在所述第二器件区的栅氧化层中形成离子注入区,所述第二器件区中栅氧化层的厚度大于所述第一器件区中轻掺杂源漏区的深度;执行第二掺杂类型的掺杂离子注入,以在所述第一器件区中形成袋状注入区,同时在所述第二器件区栅氧化层下方的半导体衬底中形成轻掺杂源漏区。与现有工艺相比,本发明提出的半导体器件的制造方法,节约一次掩膜工艺。

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