双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器

发明专利有效专利

申请号：
CN201910411143.4
IPC分类号：H03H9/02;H03H9/58
申请日期：
2019-05-16
申请人：
江苏卓胜微电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器
申请号	CN201910411143.4	申请日期	2019-05-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-16	公开/公告号	CN110138355A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03H9/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03H 阻抗网络，例如谐振电路；谐振器（测量，试验入G01R；产生混响或回声装置入G10K 15/08；由分布阻抗，例如波导型，组成的阻抗网络或谐振器入H01P；放大的控制，例如放大器的带宽控制入H03G；调谐谐振电路，例如调谐耦合谐振电路入H03J；改善通信系统频率特性的网络入H04B） H03H9/00 包括机电或电声器件的网络；机电谐振器（制造压电或磁致伸缩元件入H01L 41/00；扬声器，话筒，唱机拾音器或类似物入H04R） H03H9/02 零部件〔3〕	IPC分类号	H;0;3;H;9;/;0;2;;;H;0;3;H;9;/;5;8查看分类表>
申请人	江苏卓胜微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3幢11层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	江苏卓胜微电子股份有限公司	当前权利人	江苏卓胜微电子股份有限公司
发明人	付先;肖立;王宇航;陈曦;曹应明
代理机构	北京酷爱智慧知识产权代理有限公司	代理人	向霞

摘要

本发明实施例公开了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：提供一压电晶片；对压电晶片的表面进行清洗；在清洗后的压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；对沉积有第一金属条的压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条；对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。实施本发明实施例双滤波器芯片制作方法，使得双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到了最优，从而提升了双滤波器的整体性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供