用于裸晶片检查的系统和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980048425.0
IPC分类号：H01L21/12;H01L21/68;G01N21/95;H01J37/21;H01L21/66;H01L29/66
申请日期：
2019-07-17
申请人：
ASML荷兰有限公司

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著录项信息

专利名称	用于裸晶片检查的系统和方法
申请号	CN201980048425.0	申请日期	2019-07-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112740362A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/06 器件中的半导体所含有的硒或碲以游离态存在，而不是其他材料在半导体中的杂质〔2〕 H01L21/12 把硒或碲加到基板后，在硒或碲的裸露面上加电极〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;1;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;G;0;1;N;2;1;/;9;5;;;H;0;1;J;3;7;/;2;1;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6;;;H;0;1;L;2;9;/;6;6查看分类表>
申请人	ASML荷兰有限公司	申请人地址	荷兰维德霍温变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASML荷兰有限公司	当前权利人	ASML荷兰有限公司
发明人	方伟;汪苏
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华;胡良均

摘要

一种晶片检查系统，包括与电子束检查工具通信的控制器，所述控制器包括电路以：经由光学成像工具采集样品上的缺陷的坐标；将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集；基于样品的扫描期间电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置；基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标；以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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