薄膜晶体管及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811589145.4
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/285;H01L29/786
申请日期：
2018-12-25
申请人：
惠科股份有限公司

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著录项信息

专利名称	薄膜晶体管及其制作方法
申请号	CN201811589145.4	申请日期	2018-12-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-04-16	公开/公告号	CN109637933A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	惠科股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民营工业园惠科工业园厂房1、2、3栋，九州阳光1号厂房5、7楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	惠科股份有限公司	当前权利人	惠科股份有限公司
发明人	黄北洲
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	吴平

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括如下步骤：在基板上沉积栅极金属薄膜，通过第一构图工艺，得到栅极的图形；在形成栅极图形的基板上依次沉积栅极绝缘膜、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏极金属薄膜，通过第二构图工艺得到沟道区域和源极、漏极的图形；其中，在掺杂半导体薄膜上沉积源漏极金属薄膜的步骤包括：在掺杂半导体薄膜上依次沉积第一金属钼薄膜、金属铝薄膜和第二金属钼薄膜。解决了在第二次构图工艺中由于源漏极金属薄膜过刻蚀导致掺杂半导体层相对于源漏极金属层具有突出部，降低薄膜晶体管性能的问题。

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