一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210367214.3
IPC分类号：H01L33/06;H01L33/36;H01L33/00
申请日期：
2012-09-28
申请人：
上海蓝光科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法
申请号	CN201210367214.3	申请日期	2012-09-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-04-02	公开/公告号	CN103700741A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/04 具有一个量子效应结构或超晶格，例如隧道结〔2010.01〕 H01L33/06 在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;3;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海蓝光科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海蓝光科技有限公司	当前权利人	上海蓝光科技有限公司
发明人	张楠;郝茂盛
代理机构	上海光华专利事务所	代理人	余明伟

摘要

本发明提供一种大电流密度、低电压功率型发光二极管及其制造方法，先于半导体衬底中定义出多个发光单元区域，且每相邻的两个发光单元区域组成一并联单元区域；于各该并联单元区域交接处的半导体衬底中制作裂片走道，并于各该并联单元区域内的两个发光单元区域交接处的半导体衬底中制作隔离走道；于所述半导体衬底表面沉积由所述裂片走道相互隔开的多个并联单元，且各该并联单元内的两个发光单元由所述隔离走道隔开；最后制作电极、反射镜及进行裂片以完成制作。本发明可以提高芯片的稳定性；将传统的单颗功率型LED芯片改成两颗并联，通过优化芯片电流密度的方式提高芯片的发光效率，并通过电流分流降低芯片的工作电压。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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