一种VCSEL芯片金属薄膜电极的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110106451.3
IPC分类号：H01S5/042;H01S5/183
申请日期：
2021-01-26
申请人：
威科赛乐微电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种VCSEL芯片金属薄膜电极的制备方法
申请号	CN202110106451.3	申请日期	2021-01-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-28	公开/公告号	CN112864798A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	威科赛乐微电子股份有限公司	申请人地址	重庆市万州区万州经开区高峰园B02 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	威科赛乐微电子股份有限公司	当前权利人	威科赛乐微电子股份有限公司
发明人	李雪松;姚林松;雷彪;罗锐
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	张晨

摘要

本发明公开了一种VCSEL芯片金属薄膜电极的制备方法，涉及多晶合成技术领域。本发明的一种VCSEL芯片金属薄膜电极的制备方法，所述方法是利用涂胶机经过上胶、匀胶、烘烤先后在清洗干净的晶圆表面涂覆上LOR和正光刻胶，经过曝光将图形转移到正光刻胶上，再进行显影处理在正光刻胶下方的LOR上形成剥离凹槽，最后经过镀金属层、剥离步骤得到金属薄膜电极。本发明公开了一种VCSEL芯片金属薄膜电极的制备方法，采用LOR+正光刻胶制作光阻，大大的改善了金属沉积后剥离金属的难度，能够在一定程度上保证做出的金属图形保真度好，电极环不变形。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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