氮化物半导体发光器件和半导体发光器件

发明专利有效专利

申请号：
CN200980134707.9
IPC分类号：H01S5/343;H01L33/00
申请日期：
2009-09-03
申请人：
夏普株式会社

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著录项信息

专利名称	氮化物半导体发光器件和半导体发光器件
申请号	CN200980134707.9	申请日期	2009-09-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-03	公开/公告号	CN102144342A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本国大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	神川刚;麦华路巴武吕;伊藤茂稔
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王波波

摘要

在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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