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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

原位集成型腔室

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201980059554.X
  • IPC分类号:H01L21/67;H01L21/677
  • 申请日期:
    2019-09-03
  • 申请人:
    应用材料公司
著录项信息
专利名称原位集成型腔室
申请号CN201980059554.X申请日期2019-09-03
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-06-08公开/公告号CN112930591A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/67IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7查看分类表>
申请人应用材料公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人应用材料公司当前权利人应用材料公司
发明人李学斌;舒伯特·S·诸;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;帕特里夏·M·刘;高拉夫·塔雷贾;雷蒙德·霍曼·洪
代理机构北京律诚同业知识产权代理有限公司代理人徐金国;赵静
摘要
本文论述的系统及方法用于群集工具,群集工具可用于MOSFET装置制造,MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室,用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作,如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层,此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。

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