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OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610645445.4
  • IPC分类号:G09G3/00
  • 申请日期:
    2016-08-08
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法
申请号CN201610645445.4申请日期2016-08-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-11-09公开/公告号CN106097943A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G09G3/00IPC分类号G;0;9;G;3;/;0;0查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人黄泰钧;梁鹏飞;周明忠;许神贤
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂
摘要
本发明提供一种OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测方法,该方法在驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测过程中,先向驱动薄膜晶体管的栅极提供一高电压,利用该提供的高电压增大驱动薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压差,从而提升流过驱动薄膜晶体管的电流,加快驱动薄膜晶体管的源极电压的提升速度,进而加快OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测速度,减少OLED驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测时间,提升用户体验,同时还在驱动薄膜晶体管的源极电压达到稳定之前,将驱动薄膜晶体管的栅极恢复为低电压,保证驱动薄膜晶体管的阈值电压侦测的稳定性。

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