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一种铜锌锡硫薄膜制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910018440.2
  • IPC分类号:H01L31/032;H01L31/18
  • 申请日期:
    2019-01-09
  • 申请人:
    云南师范大学
著录项信息
专利名称一种铜锌锡硫薄膜制备方法
申请号CN201910018440.2申请日期2019-01-09
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-06-18公开/公告号CN109904256A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/032
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人云南师范大学申请人地址
云南省昆明市呈贡区雨花片区1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人云南师范大学当前权利人云南师范大学
发明人郭杰;刘斌;郝瑞亭;刘欣星;王璐;顾康;王飞翔;李勇;吴鹏;孙帅辉;马晓乐;魏国帅
代理机构南京苏创专利代理事务所(普通合伙)代理人高丽
摘要
本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜制备方法,其步骤:在洗净的SLG表面上镀1μm厚的钼电极;用四元化合物铜锌锡硫靶溅射得到铜锌锡硫薄膜预制层;将上述条件下制备的预制层于570~590℃无硫源原位退火25‑35min。本方法基于CZTS的形成机理只需一个Cu‑Zn‑Sn‑S靶溅射预制层并通过后续的无硫源原位退火就能得到CZTS薄膜,该方法是目前最简单高效的成膜方法,单个靶材制备预制层后无硫源原位退火,适用于铜锌锡硫薄膜的大规模生产,且整个成膜过程均在一个真空腔室内完成,能有效避免外界杂质对薄膜的污染,解决了外界硫源的硫分压无法精确控制造成薄膜有碎晶粒和大面积空洞生成的现象,大幅提高了CZTS薄膜的均匀性及单相性。

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