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一种二硅化钽纳米粉末的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011319208.1
  • IPC分类号:C01B33/06;B82Y40/00;B82Y30/00;C04B35/58;C01B32/05;C04B35/628;C04B35/626
  • 申请日期:
    2020-11-23
  • 申请人:
    武汉科技大学
著录项信息
专利名称一种二硅化钽纳米粉末的制备方法
申请号CN202011319208.1申请日期2020-11-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-02-26公开/公告号CN112408394A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B33/06IPC分类号C;0;1;B;3;3;/;0;6;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;5;8;;;C;0;1;B;3;2;/;0;5;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;8;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;6查看分类表>
申请人武汉科技大学申请人地址
湖北省武汉市和平大道947号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉科技大学当前权利人武汉科技大学
发明人朱辉;李轩科;邓卓;侯家旺
代理机构重庆晶智汇知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明涉及一种二硅化钽纳米粉末的制备方法。它依次包括以下步骤(1)分别称取硅粉和碳化钽粉,球磨混合均匀,得到混合粉料;(2)将所述混合粉料放入炭化炉中,抽真空,再通入保护气体至常压;(3)在保护气体气氛条件下,将炭化炉升温至900~1400℃,保温1~4h,冷却至室温。本发明制备方法工艺简单、反应条件温和、对环境友好,且所制得的产物二硅化钽纳米粉末颗粒均匀,纯度高,无团聚现象。

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