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具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202210855296.X
  • IPC分类号:C04B35/26;C04B35/622;H01F1/01
  • 申请日期:
    2022-07-19
  • 申请人:
    浙江大学;杭州绿联研究院有限公司
著录项信息
专利名称具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法
申请号CN202210855296.X申请日期2022-07-19
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2022-09-30公开/公告号CN115124334A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/26IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;2;6;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;H;0;1;F;1;/;0;1查看分类表>
申请人浙江大学;杭州绿联研究院有限公司申请人地址
浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学,杭州绿联研究院有限公司当前权利人浙江大学,杭州绿联研究院有限公司
发明人杜丕一;吕爽;戴正冠;马宁;樊谊军;何旭昭;王宗荣
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人万尾甜;韩介梅
摘要
本发明公开了一种具有六角板状晶相结构且高介高磁共存的Ba间隙掺杂钡铁氧体取向生长薄膜及其制备方法。所述薄膜为单相材料,是通过单晶硅基板与钡铁氧体膜层中氧的作用,在高温下形成氧化硅层的同时诱导在基板方向氧密排面形成,且基于氧化硅的六方晶形诱导钡铁氧体形成(00l)定向生长的六角板状钡铁氧体晶粒;制备得到的Ba间隙掺杂六角板状钡铁氧体取向生长薄膜,具有在平行于薄膜方向超高介电性能,介电常数高达~107;在易磁化轴c轴方向贡献高剩磁比,高达>90%;薄膜饱和磁化强度>100emu/cc。本发明制备方法简单、可控性强、制备周期短、成本低廉。这种钡铁氧体薄膜可以在介电材料以及功能器件领域得到应用。

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