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基板支撑结构及其制造方法、热处理装置及基板吸附方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710091808.5
IPC分类号：H01L21/683;H01L21/00
申请日期：
2007-03-23
申请人：
大日本网目版制造株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基板支撑结构及其制造方法、热处理装置及基板吸附方法
申请号	CN200710091808.5	申请日期	2007-03-23
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2007-09-26	公开/公告号	CN101043018
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/683 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/683 用于支承或夹紧的（用于定位、定向或对准的入H01L 21/68）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	大日本网目版制造株式会社	申请人地址	日本京都府京都市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	斯克林集团公司	当前权利人	斯克林集团公司
发明人	福本靖博;辻雅夫;宫内博;谷口英行
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	王玉双

摘要

一种热处理装置，在热处理板的上表面上设置有支撑片。在支撑片的上表面上形成有抵接支撑基板的凸部以及与基板的周缘部相抵接的凸缘部。因为该支撑片通过蚀刻处理而形成，所以凸部的周围成为凹部，不会如激光加工那样使凸部的周围成为开口。利用具有这些热处理板和支撑片的基板支撑结构，而能够适当地支撑基板。

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