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一种应用于光电耦合器的新型硅基二极管

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201821513833.8
  • IPC分类号:H01L29/861;H01L29/06
  • 申请日期:
    2018-09-13
  • 申请人:
    深圳市奥伦德元器件有限公司
著录项信息
专利名称一种应用于光电耦合器的新型硅基二极管
申请号CN201821513833.8申请日期2018-09-13
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/861
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人深圳市奥伦德元器件有限公司申请人地址
广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁路天安数码创业园1号厂房B座3楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市奥伦德元器件有限公司当前权利人深圳市奥伦德元器件有限公司
发明人杨为家;吴质朴;何畏;陈强
代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司代理人梁嘉琦
摘要
本实用新型公开了一种应用于光电耦合器的新型硅基二极管,包括p型电极、p型Si单晶衬底、耗尽层、重掺杂n型Si层、SiO2绝缘层和n型电极,在p型Si单晶衬底的一端面增设了耗尽层,然后在耗尽层的另一端依次覆盖设置重掺杂n型Si层和n型电极,没有破坏到p型Si单晶衬底的晶格的完整性,区别于以往在衬底的不同区域直接进行p型和n型掺杂,保留了p型Si单晶衬底晶格的完整性,提高了晶体质量,大大提高了硅基二极管的性能。

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