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结晶性层叠结构体以及半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510233704.8
IPC分类号：H01L29/24;H01L21/02;H01L29/872;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/739;H01L33/02
申请日期：
2015-05-08
申请人：
FLOSFIA株式会社

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权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	结晶性层叠结构体以及半导体装置
申请号	CN201510233704.8	申请日期	2015-05-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-25	公开/公告号	CN105097896A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/02 按其半导体本体的特征区分的〔2〕 H01L29/12 按其构成材料的特征区分的〔2〕 H01L29/24 除掺杂材料或其他杂质外，只包括不包含在H01L 29/16，H01L 29/18，H01L 29/20或H01L 29/22各组中的无机半导体材料的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2查看分类表>
申请人	FLOSFIA株式会社	申请人地址	日本京都府京都市西京区御陵大原1番29号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社FLOSFIA	当前权利人	株式会社FLOSFIA
发明人	人罗俊实;织田真也;高塚章夫
代理机构	深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司	代理人	温青玲

摘要

提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，并且是单轴取向的。

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