阴极材料转移罩用因瓦金属板的二元电沉积加工方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910034665.3
IPC分类号：H01L51/56;H01L27/32
申请日期：
2009-08-31
申请人：
昆山美微电子科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	阴极材料转移罩用因瓦金属板的二元电沉积加工方法
申请号	CN200910034665.3	申请日期	2009-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-03-03	公开/公告号	CN101662002
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/56 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕 H01L51/56 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2查看分类表>
申请人	昆山美微电子科技有限公司	申请人地址	江苏省昆山市开发区青阳南路161号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	昆山美微电子科技有限公司	当前权利人	昆山美微电子科技有限公司
发明人	周涛;李真明;黎增祺
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	董建林;孙永生

摘要

本发明涉及阴极材料转移罩用因瓦金属板的二元电沉积加工方法，采用光电加工和二元电沉积技术，先设计金属蒸镀面罩的图形文件；将不锈钢基板置于烘箱中烘烤；将光阻材料热压或印刷在基板上；制作负片光罩菲林，进行高精度曝光；将曝光后的基板在显影剂中清洗，放入镍金电铸槽中进行二元电铸沉积加工；电铸沉积后，将基板上的金属蒸镀面罩取下，放入超声波清洗机中进行清洗；抽样检查。本发明可以使金属蒸镀面罩达到10～15um的孔宽要求，开孔误差±1.5μm，厚度精度均匀性±1μm，位置精度≤±5μm，孔径小，精度高，耐高温，膨胀系数＜1.8×10-6℃，满足高清晰度OLED面板画素精密转移蒸镀的制造要求。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供