一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610363729.4
IPC分类号：H01L21/677;H01J37/32
申请日期：
2016-05-26
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

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著录项信息

专利名称	一种刻蚀机的晶圆传送方法和装置
申请号	CN201610363729.4	申请日期	2016-05-26
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-05	公开/公告号	CN107437521A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/677 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/677 用于传送的，例如在不同的工作站之间〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	隋琳
代理机构	北京润泽恒知识产权代理有限公司	代理人	赵娟

摘要

本发明实施例提供了一种刻蚀机的晶圆传送方法，其中，所述刻蚀机包括设备前端模组、真空传送腔、至少一个工艺腔室以及位于所述设备前端模组和真空传送腔之间的加锁容器，其特征在于，所述方法包括：当晶圆完成工艺腔室的工艺后，将所述晶圆从所述工艺腔室经由所述真空传送腔传送至加锁容器；在预设的停留时间内对所述加锁容器持续抽气；对所述加锁容器充气，直至所述加锁容器中的气压值回升至大气压值；将所述晶圆从所述加锁容器传送至所述设备前端模组。通过对加锁容器持续抽气阶段带走晶圆表面残留的大部分卤素元素的气体或化合物，减少晶圆表面产生的冷凝颗粒，从而减少冷凝颗粒对晶圆及刻蚀设备大气部分零部件的不利影响。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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