具有沟槽电容的半导体的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02106188.2
IPC分类号：--
申请日期：
2002-04-08
申请人：
华邦电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有沟槽电容的半导体的制造方法
申请号	CN02106188.2	申请日期	2002-04-08
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-10-22	公开/公告号	CN1450620
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	华邦电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华邦电子股份有限公司	当前权利人	华邦电子股份有限公司
发明人	朱淑卿
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司	代理人	楼仙英

摘要

本发明提供一种具有沟槽电容的半导体的制造方法，包括下列步骤：在一衬底中形成一沟槽；在沟槽中，依序形成具有第一高度的一玻璃掺杂层与第一介电层；由退火处理将玻璃掺杂层中的n型掺杂物向外扩散至衬底中，形成一掩埋板；利用湿蚀刻移除第一介电层与玻璃掺杂层；在沟槽中，依序形成具有等于第一高度的第二介电层与第一导电层，在沟槽中，在第一导电层上的区域定义为上部区域；并在此形成一U型绝缘层；在上部区域中，自U型绝缘层底部形成一环状导电层；移除未与环状导电层接触的绝缘层，形成一环状绝缘层；并形成一掩埋导电带，填满在上述沟槽中。因此，形成具有低阻抗的掩埋导电带。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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