基于平面型全耗尽绝缘体上硅器件的图形解析能力的提升方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110211492.9
IPC分类号：G03F1/36;G03F7/20
申请日期：
2021-02-25
申请人：
广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司

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专利名称	基于平面型全耗尽绝缘体上硅器件的图形解析能力的提升方法
申请号	CN202110211492.9	申请日期	2021-02-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113093470A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F1/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F1/16 （转入G03F 1/00-G03F 1/86） G03F1/36 具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺〔2012.01〕	IPC分类号	G;0;3;F;1;/;3;6;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司	申请人地址	广东省广州市广州开发区开源大道136号A栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术（广东）有限公司	当前权利人	广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,澳芯集成电路技术（广东）有限公司
发明人	吴宗晔;叶甜春;罗军;赵杰;王云
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	王志红

摘要

本申请涉及集成电路设计领域，具体涉及一种基于平面型全耗尽绝缘体上硅器件的图形解析能力的提升方法，包括以下步骤：获取集成电路上主图形的数据；根据所述数据插入虚拟图形；根据预定的规则筛选出容易产生圆角的图形；在筛选图形的至少部分边角处插入散射条；根据所述数据插入散射条；执行光学邻近效应修正的步骤。通过在容易产生圆角图形的边角处插入散射条，大大降低了图形的圆角化，从而提高了主图形的分辨率以及图形解析能力，提高了产品的良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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