一种晶片表面污染清洗方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011573209.9
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2020-12-28
申请人：
苏州恩腾半导体科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种晶片表面污染清洗方法
申请号	CN202011573209.9	申请日期	2020-12-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-25	公开/公告号	CN112837995A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	苏州恩腾半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02栋703室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州恩腾半导体科技有限公司	当前权利人	苏州恩腾半导体科技有限公司
发明人	吴镐硕;朴灵绪
代理机构	苏州铭浩知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	朱斌兵

摘要

本发明公开了一种晶片表面污染清洗方法，包括下述步骤：将晶片置于常温下的超纯水中清洗；将所述晶片移至氨水、双氧水混合溶液中进行超声波清洗，温度控制在60‑70°C；将所述晶片移至常温的超纯水中漂洗等，该晶片表面污染清洗方法使用臭氧来进行晶片的最后洗涤，跟以往清洗方法相比减少了化学液H2SO4、HCl、HF及NH4OH的使用量，减轻了对后续废液处理的难度，同时采用该方法表现出更好的洁净效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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