具有存储器擦除功能的非易失性存储器及其擦除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410006760.X
IPC分类号：G11C16/14;G11C16/06
申请日期：
2004-02-26
申请人：
旺宏电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有存储器擦除功能的非易失性存储器及其擦除方法
申请号	CN200410006760.X	申请日期	2004-02-26
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-02-02	公开/公告号	CN1574098
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕 G11C16/06 辅助电路，例如，用于写入存储器的（一般入G11C 7/00）〔5〕 G11C16/10 编程或数据输入电路〔7〕 G11C16/14 用于电擦除的电路，例如擦除电压开关电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;1;4;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	叶致锴;蔡文哲;卢道政
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	韩宏

摘要

本发明提供一种具最佳存储器擦除功能的非易失性存储器及相应的方法，特别是一种擦除非易失性存储器的方法，该非易失性存储器包括一源极、一栅极、一漏极、一沟道和一捕获层。本发明的一较佳实施例的方法包括以下步骤：施加一非零栅极电压于该栅极、施加一非零源极电压于该源极、在每一擦除击发时施加一非零漏极电压于该漏极并且其中该漏极电压的幅值高于该源极电压、在该非易失性存储中产生热空穴、注入该产生的热空穴于该漏结附近的捕获层中，以及相应地擦除该非易失性存储器。本发明另一实施例的擦除方法包括在每一擦除击发之后进行一验证步骤，以用于验证非易失性存储器的存储器擦除，如果该存储器擦除未被验证时则重复根据本发明的过程步骤。

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