半导体存储器件及其擦除方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410156317.4
IPC分类号：G11C8/08
申请日期：
2014-04-17
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体存储器件及其擦除方法
申请号	CN201410156317.4	申请日期	2014-04-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104599704A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C8/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C8/00 数字存储器中用于地址选择的装置（用于使用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C8/08 字线控制电路，例如，用于字线的驱动器、增强器、上拉电路、下拉电路、预充电电路〔7〕	IPC分类号	G;1;1;C;8;/;0;8查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	兪登觉
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	俞波;毋二省

摘要

根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可以包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元；传输晶体管组，具有耦接在全局字线与局部字线之间的正常传输晶体管，局部字线与多个存储器单元耦接；以及地址解码器，与全局字线和块字线耦接正常传输晶体管的栅极共同耦接至块字线，其中，当擦除电压被提供至多个存储器单元的沟道时，地址解码器使通过从块字线的电压中减去全局字线的电压所获得的电压逐步地增大。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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