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一种防侧漏光LED制作工艺及该工艺所得的LED

发明专利有效专利

申请号：
CN202110153815.3
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62;H01L25/075
申请日期：
2021-02-04
申请人：
谷麦光电科技股份有限公司;信阳市谷麦光电子科技有限公司;东莞市谷麦光学科技有限公司;信阳中部半导体技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种防侧漏光LED制作工艺及该工艺所得的LED
申请号	CN202110153815.3	申请日期	2021-02-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-18	公开/公告号	CN112820812A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;5;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	谷麦光电科技股份有限公司;信阳市谷麦光电子科技有限公司;东莞市谷麦光学科技有限公司;信阳中部半导体技术有限公司	申请人地址	河南省信阳市浉河区金牛产业集聚区富强路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	谷麦光电科技股份有限公司,信阳市谷麦光电子科技有限公司,东莞市谷麦光学科技有限公司,信阳中部半导体技术有限公司	当前权利人	谷麦光电科技股份有限公司,信阳市谷麦光电子科技有限公司,东莞市谷麦光学科技有限公司,信阳中部半导体技术有限公司
发明人	廖勇军;李文庭;戢利进
代理机构	广东腾锐律师事务所	代理人	莫锡斌

摘要

本发明公开了一种防侧漏光LED制作工艺及该工艺所得的LED，该包括锡膏印刷、固晶安装、回流焊粘接、第一次模压封装、第一次切割开槽、第二次模压封装、第二次切割、解胶剥离、分光处理和分光编带等步骤。本发明的防侧漏光LED制作工艺及该工艺所得的LED具有尺寸小、亮度高和可靠性高的特点。

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