一种高散热、高可靠性IGBT功率模块结构

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202020467464.4
IPC分类号：H01L25/16;H01L23/488;H01L23/367;H01L23/04
申请日期：
2020-04-02
申请人：
南京晟芯半导体有限公司

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专利名称	一种高散热、高可靠性IGBT功率模块结构
申请号	CN202020467464.4	申请日期	2020-04-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕 H01L25/16 包含在H01L 27/00至H01L 51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;1;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;0;4查看分类表>
申请人	南京晟芯半导体有限公司	申请人地址	江苏省南京市江宁区高湖路105号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南京晟芯半导体有限公司	当前权利人	南京晟芯半导体有限公司
发明人	於正新;许海东
代理机构	南京常青藤知识产权代理有限公司	代理人	金迪

摘要

本实用新型提供一种高散热、高可靠性IGBT功率模块结构，包括底板，所述底板上设有外壳，所述外壳内的所述底板上设有两个DBC，所述DBC之间采用铜连桥连接，所述DBC上相对连接一端开始依次排布设有贴片电阻、IGBT芯片、FWD芯片和端子，所述贴片电阻通过铝线与所述IGBT芯片的栅极键合，所述IGBT芯片的发射极与所述FWD芯片的正极通过铝线键合，所述端子在所述DBC上依次等距排布并伸出所述外壳。本实用新型具有较高的热循环能力、高功率密度和低杂散电感。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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