一种单晶硅结晶生长装置

发明专利无效专利

申请号：
CN200910184959.4
IPC分类号：C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06
申请日期：
2009-10-22
申请人：
芜湖升阳光电科技有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	一种单晶硅结晶生长装置
申请号	CN200910184959.4	申请日期	2009-10-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2011-05-04	公开/公告号	CN102041549A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;1;5;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	芜湖升阳光电科技有限公司	申请人地址	安徽省芜湖县芜湖机械工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	芜湖升阳光电科技有限公司	当前权利人	芜湖升阳光电科技有限公司
发明人	马四海;张笑天
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种单晶硅结晶生长装置，包括保温系统、加热系统、导流系统及支撑装置，所述的导流系统采用双向气流结构，所述的双向气流结构包括热屏(3)、上部排气套筒(1)和下部氩气出口(2)。采用上述技术方案，迅速带走硅液表面的有害气体，加速SiO及氧碳化合物的蒸发，使得进入固液界面的氧的含量大大降低；双向气流的采用，改变了普通热场的气体流向，可以降低热场内部有害气体对石墨件的腐蚀，减少了氧与石墨的接触面积及时间，使得硅液表面的氧碳化合物及有害气体在下部气体的流向带动下迅速带离热系统，有效控制了晶体中的碳含量；降低了杂质粒子进入固液界面的几率，从而大大提升了晶体的成晶率。

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