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一种大束径离子源及屏栅

实用新型无效专利
  • 申请号:
    CN201621022540.0
  • IPC分类号:H01J37/09
  • 申请日期:
    2016-08-31
  • 申请人:
    北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司
著录项信息
专利名称一种大束径离子源及屏栅
申请号CN201621022540.0申请日期2016-08-31
法律状态放弃专利权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/09IPC分类号H01J37/09查看分类表>
申请人北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司申请人地址
北京市丰台区小屯路1*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司当前权利人北京埃德万斯离子束技术研究所股份有限公司
发明人刁克明
代理机构北京格允知识产权代理有限公司代理人周娇娇;谭辉
摘要
本实用新型涉及一种大束径离子源,包括气体电离装置、离子光学系统和中和装置,其中气体电离装置用于产生等离子体,离子光学系统用于从等离子体中抽取离子束并加速,中和装置用于向离子束发射电子生成中性离子束;该大束径离子源的发射口径为100~200mm;所述离子光学系统包括在同一中心线上轴向间隔设置的屏栅和加速栅,该屏栅中部设有带栅孔的栅孔区,栅孔区的栅孔孔径沿径向方向从栅孔区圆心向外逐渐增大。本实用新型的大束径离子源,通过设计变孔径屏栅,使屏栅孔径与屏栅抽取的等离子浓度分布相匹配,进而通过不同的孔径抽取相同的束流密度,达到改善束流均匀度的目的,可产生束流宽、方向性强的离子束,且有效束径及均匀度大,束流稳定性强。

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