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一种压电单晶驱动器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202011567974.X
  • IPC分类号:H01L41/083;H01L41/09;H01L41/277
  • 申请日期:
    2020-12-25
  • 申请人:
    西安交通大学
著录项信息
专利名称一种压电单晶驱动器及其制备方法
申请号CN202011567974.X申请日期2020-12-25
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-05-11公开/公告号CN112786776A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L41/083IPC分类号H;0;1;L;4;1;/;0;8;3;;;H;0;1;L;4;1;/;0;9;;;H;0;1;L;4;1;/;2;7;7查看分类表>
申请人西安交通大学申请人地址
陕西省西安市咸宁西路28号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安交通大学当前权利人西安交通大学
发明人王三红;徐卓
代理机构西安通大专利代理有限责任公司代理人贺小停
摘要
本发明提供的一种压电单晶驱动器及其制备方法,包括压电单晶堆,压电单晶堆包括多个单晶片,多个单晶片(101)沿其厚度方向堆叠,且多个单晶片(101)之间电路并联连接;所述单晶片(101)的厚度方向为<011>方向、长度方向为<100>方向、宽度方向选取<0‑11>方向;本发明在三维定向下的单晶片,其横向压电系数为2000pC/N以上,使得其在驱动电压相同情况下,其层数少,输出形变大、工作频率高等特点。

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