降低SiO2钝化层中孔隙的方法及LED的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201810128847.6
IPC分类号：H01L21/02;H01L27/15
申请日期：
2018-02-08
申请人：
澳洋集团有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	降低SiO2钝化层中孔隙的方法及LED的制备方法
申请号	CN201810128847.6	申请日期	2018-02-08
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108461383A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;5查看分类表>
申请人	澳洋集团有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市杨舍镇塘市镇中路澳洋集团有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	澳洋集团有限公司	当前权利人	澳洋集团有限公司
发明人	沈学如
代理机构	苏州市港澄专利代理事务所（普通合伙）	代理人	马丽丽

摘要

本申请公开了一种降低SiO2钝化层中孔隙的方法及LED的制备方法，包括：s1、沿第一沉积方向制作一定厚度的SiO2钝化层；s2、沿第二沉积方向在获得的SiO2钝化层表面制作一定厚度的SiO2钝化层，所述第一沉积方向和第二沉积方向不同；s3、改变沉积的方向，重复所述s2步骤至少一次。本发明制备获得的SiO2钝化层中孔隙少，P电极和N电极之间不易发生短路，提高器件的使用寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供