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分栅存储器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110313048.8
  • IPC分类号:H01L29/788;H01L27/11521;H01L21/336
  • 申请日期:
    2021-03-24
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称分栅存储器及其制造方法
申请号CN202110313048.8申请日期2021-03-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-22公开/公告号CN113013255A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/788
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;8;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人于涛;李冰寒
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人周耀君
摘要
本发明提供了一种分栅存储器及其制造方法,所述分栅存储器的衬底的存储单元区包括连接分区和功能分区,所述衬底内设置有源极区,所述源极区两侧的衬底上设置有互为镜像的第一栅极结构和第二栅极结构;在所述连接分区中,所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的控制栅与所述源极区通过电连接件电性连接。本发明在分栅存储器的存储单元区设置功能分区和连接分区,且在连接分区通过刻蚀工艺暴露第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅及所述源极区,并通过电连接件将暴露的控制栅及源极区引出并连接,省去了存储单元区中第一栅极结构和第二栅极结构的控制栅单独布线带来的空间成本,节省存储单元区的面积,同时省去了外围控制栅解码电路,简化电路设计。

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