加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种具有载流电子存储层的IGBT的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310538947.3
  • IPC分类号:H01L21/331
  • 申请日期:
    2013-11-04
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种具有载流电子存储层的IGBT的制造方法
申请号CN201310538947.3申请日期2013-11-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-05-13公开/公告号CN104616989A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/331IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人周宏伟;张艳旺;王根毅
代理机构无锡互维知识产权代理有限公司代理人庞聪雅
摘要
本发明提供一种具有载流电子存储层的IGBT的制造方法,其包括:提供具有第一表面和第二表面的衬底;在所述衬底的第一表面形成第一凹槽;在所述第一凹槽上外延形成导电类型与衬底相同的第一外延层,所述第一外延层填满第一凹槽;研磨所述第一外延层直到露出所述衬底的第一表面;在研磨后的第一外延层的上表面形成深度和宽度小于所述第一凹槽的深度和宽度的第二凹槽以剩余一部分第一外延层,剩余的第一外延层作为载流电子存储层;在所述第二凹槽上外延形成导电类型与衬底相同的第二外延层,所述第二外延层填满第二凹槽;研磨所述第二外延层直到露出所述衬底的第一表面。该方法能避免由于CS拐角处浓度问题导致器件击穿电压偏低的问题。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供