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具有埋入式电容的发光二极管座体结构

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810134641.0
  • IPC分类号:H01L23/488
  • 申请日期:
    2008-08-12
  • 申请人:
    海立尔股份有限公司
著录项信息
专利名称具有埋入式电容的发光二极管座体结构
申请号CN200810134641.0申请日期2008-08-12
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2010-02-17公开/公告号CN101651125
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/488IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人海立尔股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海立尔股份有限公司当前权利人海立尔股份有限公司
发明人陈明鸿;温士逸;陈景宜
代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司代理人寿宁;张华辉
摘要
本发明是有关于一种具有埋入式电容的发光二极管座体结构其包括本体;至少一对金属层;至少一介电层;以及至少二导电通道。本体为绝缘基座,且金属层设置在本体中,且介电层形成于此对金属层间,而成为埋入式电容,又导电通道分别与金属层电性连接。当发光二极管座体结构再与一电阻电性连接时,即可形成电阻-电容延迟电路,且可在使用交流电源时产生相位延迟的功效,用以控制两组相互并联的发光二极管组其中一组的开启时间,将可改善使用交流电源时发光二极管闪烁的问题。

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