纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110032963.6
IPC分类号：H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18;C23C16/44;C23C16/24;C23C16/40
申请日期：
2011-01-31
申请人：
常州大学

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专利名称	纳米硅/单晶硅异质结径向纳米线太阳电池及制备方法
申请号	CN201110032963.6	申请日期	2011-01-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-17	公开/公告号	CN102157577A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0352 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/0248 以其半导体本体为特征的〔5〕 H01L31/0352 以其形状或以多个半导体区域的形状、相关尺寸或配置为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;2;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0查看分类表>
申请人	常州大学	申请人地址	江苏省南通市如东县大豫镇东湖景区智慧大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南通东湖国际旅行社有限公司	当前权利人	南通东湖国际旅行社有限公司
发明人	袁宁一;丁建宁
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	楼高潮

摘要

本发明涉及太阳电池，特指利用单晶硅、纳米硅和氧化铝形成异质结径向结构纳米线太阳电池，其电池结构是n型单晶硅/p型纳米硅/氧化铝或n型单晶硅/i型纳米硅/p型纳米硅/氧化铝的电池结构。本发明利用湿法腐蚀工艺在n型单晶硅衬底上制备单晶硅（c-Si）纳米线，采用PECVD方法在单晶纳米线上制备氢化的i型和p型纳米硅（nc-Si:H）薄膜，形成由内至外的c-Si（n）/nc-Si:H（p）或c-Si（n）/nc-Si:H（i）/nc-Si:H（p）径向结构，随后利用ALD技术制备Al2O3层，利用ALD技术制备制备掺铝氧化锌层；最后在n型单晶硅背面真空蒸镀铝电极，并进行快速退火；完成硅基纳米线太阳电池的制备。本发明可以制备高效硅基纳米线太阳电池，而且可以利用低品质的单晶硅材料，从而可以降低电池成本。

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