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由金属氧化物多孔薄膜和孔洞构成的复合结构气体传感器

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110784468.4
  • IPC分类号:G01N27/12
  • 申请日期:
    2021-07-12
  • 申请人:
    广州德芯半导体科技有限公司
著录项信息
专利名称由金属氧化物多孔薄膜和孔洞构成的复合结构气体传感器
申请号CN202110784468.4申请日期2021-07-12
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-11-05公开/公告号CN113607781A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N27/12IPC分类号G;0;1;N;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人广州德芯半导体科技有限公司申请人地址
广东省广州市番禺区石基镇金山村华创动漫产业园B25栋第三层之二 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广州德芯半导体科技有限公司当前权利人广州德芯半导体科技有限公司
发明人汪民;许玉方
代理机构北京广技专利代理事务所(特殊普通合伙)代理人张国香
摘要
本发明提供了由金属氧化物多孔薄膜和孔洞构成的复合结构气体传感器,包括传感器本体,所述传感器本体包括底板,所述底板的上端固定设有半导体层一,所述半导体层一的上端设有电极组,所述电极组的上端设有半导体层二,所述底板和电极组与保护壳内部的固定装置连接,所述保护壳用于保护所述电极组、半导体层一和半导体层二,所述半导体层一和半导体层二为薄膜结构,所述半导体层二上下贯通设有若干检测孔洞,通过设置固定装置解决了现有的带有保护壳的气体传感器仅仅通过壳体保护,在具备保护作用的同时稳定性较差,容易导致传感器在壳体内产生晃动,具有一定的缺陷性的技术问题。

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