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低阻抗集成电路的电源/地结构

发明专利有效专利

申请号：
CN03822566.2
IPC分类号：H01L23/50;H01L23/498
申请日期：
2003-07-25
申请人：
英特尔公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低阻抗集成电路的电源/地结构
申请号	CN03822566.2	申请日期	2003-07-25
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-19	公开/公告号	CN1685506
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/50 用于集成电路器件的（H01L 23/482至H01L 23/498优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	钟东;法赞·亚哈伊－莫耶德;戴维·费加罗;克里斯·鲍德温;何江基;李元良
代理机构	北京嘉和天工知识产权代理事务所	代理人	严慎

摘要

一种集成电路，所述集成电路包括全都安装在衬底上的管芯、电源端和地端。所述电源端包括主体和从主体突出的第一延伸部分，所述地端包括主体和从主体突出的第二延伸部分。所述地端上的第二延伸部分与所述电源端上的第一延伸部分相邻，以抵消由于通过所述电源端向所述管芯提供电流而产生的电感。

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