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用于检测电磁辐射的辐射热测量型结构和用于制造这种结构的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201780058385.9
  • IPC分类号:G01J5/02;G01J5/20;G01J5/24;G01J5/08
  • 申请日期:
    2017-09-19
  • 申请人:
    原子能和替代能源委员会
著录项信息
专利名称用于检测电磁辐射的辐射热测量型结构和用于制造这种结构的方法
申请号CN201780058385.9申请日期2017-09-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-05-21公开/公告号CN109791077A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01J5/02IPC分类号G;0;1;J;5;/;0;2;;;G;0;1;J;5;/;2;0;;;G;0;1;J;5;/;2;4;;;G;0;1;J;5;/;0;8查看分类表>
申请人原子能和替代能源委员会申请人地址
法国巴黎 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人原子能和替代能源委员会当前权利人原子能和替代能源委员会
发明人让-雅克·约恩;艾蒂安·福克萨
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司代理人杨雅;姚开丽
摘要
一种用于检测电磁辐射的辐射热测量型的检测结构(10)。检测结构(10)包括与吸收元件相连的MOSFET晶体管(100),以在电磁辐射被吸收期间检测吸收元件的温度的升高。晶体管(100)包括至少一个第一区域和至少一个第二区域(111,112)、将第一区域和第二区域(111,112)彼此分隔开的至少一个第三区域(113)、以及被布置成对第三区域(113)进行偏置的至少一个第一栅电极(120)。第一栅电极(120)包括形成第一吸收元件的至少一个第一金属部。第一金属部的厚度Ep满足不等式。本发明还涉及用于制造这种结构的方法。

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