备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置

发明专利无效专利

申请号：
CN01125558.7
IPC分类号：--
申请日期：
2001-08-13
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置
申请号	CN01125558.7	申请日期	2001-08-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-31	公开/公告号	CN1361534
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本神奈川县川崎市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	日高秀人
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘宗杰;梁永

摘要

一种备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置，数据读出时，存储单元(MC)及空存储单元(DMC)分别被耦合在位线(BL、/BL)中的各一条上，流过数据读出电流。在所选择的存储单元列中，读出门(RG)根据两条位线(BL、/BL)的电压，驱动对应的两条读出数据总线(RDB、/RDB)的电压。数据读出电路55a放大读出数据总线(RDB、/RDB)之间的电位差，输出读出数据(DOUT)。利用读出门(RG)能将读出数据总线(RDB、/RDB)和数据读出电流路径切断，所以能使位线(BL、/BL)中的电压迅速变化，使数据读出高速化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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