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晶片的加工方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410515192.X
  • IPC分类号:H01L21/78;H01L21/683;B81C1/00
  • 申请日期:
    2014-09-29
  • 申请人:
    株式会社迪思科
著录项信息
专利名称晶片的加工方法
申请号CN201410515192.X申请日期2014-09-29
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2015-04-15公开/公告号CN104517898A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/78IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人株式会社迪思科申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人株式会社迪思科当前权利人株式会社迪思科
发明人前田勉;源田悟史
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;蔡丽娜
摘要
本发明提供一种晶片的加工方法,能够抑制已经形成了改性层的晶片的意想不到的破裂的产生。晶片的加工方法至少具有:晶片单元形成步骤,经粘接带(T)将晶片(W)固定于环状框架(F)的开口而形成晶片单元(WU);晶片单元保持步骤,经粘接带(T)将晶片(W)吸引保持在卡盘工作台(11)的保持面(11a)上;加工步骤,照射激光光线,在晶片(W)内部形成改性层(K);搬出步骤;以及分割步骤。在搬出步骤中,实施如下紧贴解除步骤:从保持面(11a)喷出加压过的气体从而解除粘接带(T)与保持面(11a)的紧贴。然后,将晶片单元(WU)从卡盘工作台(11)搬出。在分割步骤中以改性层(K)为起点分割晶片(W)。

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