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高压超结MOSFET器件终端结构及其制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201510264631.9
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/336
  • 申请日期:
    2015-05-21
  • 申请人:
    无锡同方微电子有限公司
著录项信息
专利名称高压超结MOSFET器件终端结构及其制作方法
申请号CN201510264631.9申请日期2015-05-21
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2015-08-19公开/公告号CN104851908A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人无锡同方微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡同方微电子有限公司当前权利人无锡同方微电子有限公司
发明人白玉明;薛璐;张海涛
代理机构无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)代理人曹祖良;刘海
摘要
本发明涉及一种高压超结MOSFET器件终端结构及其制作方法,包括元胞区和终端区,其特征是所述终端区包括N型重掺杂衬底和设置于N型重掺杂衬底上表面的N型外延层,在N型外延层上设置宽形SiO2柱区,宽形SiO2柱区由N型外延层的上表面延绅至N型外延层的下表面。所述元胞区和终端区之间具有过渡区,所述过渡区包括N型重掺杂衬底、N型外延层以及形成于该N型外延层中的两个窄形P柱区,窄形P柱区由N型外延层的上表面朝下表面延伸,并且窄形P柱区的下端与N型外延层的下表面之间存在预设间距。所述元胞区包括N型重掺杂衬底、N型外延层及形成于所述N型外延层中的窄形P柱区和N-体区。本发明在达到现有终端耐压能力的同时大大减小了终端的面积。

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