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高智能电阻应变片式传感器

实用新型专利无效专利
  • 申请号:
    CN201020182160.X
  • IPC分类号:G01L1/22;G01K7/01
  • 申请日期:
    2010-05-07
  • 申请人:
    长沙同盛电子科技有限公司
著录项信息
专利名称高智能电阻应变片式传感器
申请号CN201020182160.X申请日期2010-05-07
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L1/22IPC分类号G;0;1;L;1;/;2;2;;;G;0;1;K;7;/;0;1查看分类表>
申请人长沙同盛电子科技有限公司申请人地址
变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人湖南同盛电子科技有限公司当前权利人湖南同盛电子科技有限公司
发明人李恩民;何俊俊
代理机构暂无代理人暂无
摘要
高智能电阻应变片式传感器,包括位于待测点的应变片桥式电路、单片机、模数转换器、存储器以及温度芯片,以上组件一体化封装在PCB板上,其特征在于,所述应变片桥式电路为两个应变片与两个标准电阻连接成的半桥式结构,其输出端通过模数转换器接入单片机的信号输入端,所述单片机连接有存储器以及温度芯片。本实用新型安装方便、操作简单,存储器与传感器密封在一起,传感器的编号、标定参数、已测试数据等信息被永久性地存储在传感器的存储器中,即使传感器的传输线缆断损,只要重新接通就可从传感器中调出历史测试数据、并恢复新的测试,大大提高了稳定性和可靠性。

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