局部放电超高频检测分形天线及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910103898.4
IPC分类号：H01Q1/38;H01Q13/08;G01R31/12
申请日期：
2009-05-20
申请人：
重庆大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	局部放电超高频检测分形天线及其制备方法
申请号	CN200910103898.4	申请日期	2009-05-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-14	公开/公告号	CN101557035
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01Q1/38 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01Q 天线（微波加热用辐射器或天线入H05B6/72） H01Q1/00 天线零部件或与天线结合的装置（改变方向图形的指向性的装置入H01Q3/00）〔1，2006.01〕 H01Q1/36 辐射单元的结构形式，例如锥形、螺旋形、伞形（H01Q 1/08，H01Q 1/14优先） H01Q1/38 在绝缘支架上由导电层构成的	IPC分类号	H;0;1;Q;1;/;3;8;;;H;0;1;Q;1;3;/;0;8;;;G;0;1;R;3;1;/;1;2查看分类表>
申请人	重庆大学	申请人地址	重庆市沙坪坝区沙正街174号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	重庆大学	当前权利人	重庆大学
发明人	李剑;杜林;王有元;廖瑞金;陈伟根;唐炬;张晓星;周湶
代理机构	北京同恒源知识产权代理有限公司	代理人	赵荣之

摘要

本发明公开了一种局部放电超高频检测分形天线，局部放电超高频检测分形天线，包括电介质层和导线层，所述导线层敷设于电介质层的上表面，所述导线层包括多条首尾相连的弯曲导线段，所述导线段根据Hilbert四阶分形原理进行设置，组成四阶辐射天线元件；所述导线层在电介质层上的覆盖面为矩形面，所述覆盖面的边长为导线层的边长，所述导线段上设置有馈电点，本发明的分形天线方向性好、频带宽、驻波比小、便于阻抗匹配，能够满足变压器局部放电在线监测超高频检测的要求；另外，本发明还公开了一种局部放电超高频检测分形天线的制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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