多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201310365745.3
IPC分类号：G01N27/00
申请日期：
2013-08-20
申请人：
天津大学

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著录项信息

专利名称	多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法
申请号	CN201310365745.3	申请日期	2013-08-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-04	公开/公告号	CN103424435A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R）	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;0;0查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	胡明;武雅乔;韦晓莹;马双云;杜明月
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	张宏祥

摘要

本发明公开了一种多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构气敏传感器元件的制备方法，采用双槽电化学腐蚀法在p型单面抛光的单晶硅片的抛光表面制备多孔硅层，利用水热法在多孔硅上原位生长氧化钨纳米棒，制得复合结构的多孔硅基三氧化钨纳米棒，再利用磁控溅射法在其表面沉积形成两个铂点电极。本发明提供了一种制备过程简单，易于控制、实现室温下对氮氧化物气体探测，具有高灵敏度等优异气敏特性的新型多孔硅基三氧化钨纳米棒复合结构的气敏传感器元件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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