显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺

发明专利有效专利

申请号：
CN201310110533.0
IPC分类号：H01L27/12;H01L29/786
申请日期：
2013-04-01
申请人：
京东方科技集团股份有限公司

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专利名称	显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺
申请号	CN201310110533.0	申请日期	2013-04-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-10	公开/公告号	CN103199095A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/12 其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	京东方科技集团股份有限公司	申请人地址	北京市朝阳区酒仙桥路10号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京东方科技集团股份有限公司	当前权利人	京东方科技集团股份有限公司
发明人	牛菁
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	黄灿;吕品

摘要

本发明涉及显示器、薄膜晶体管阵列基板及其制造工艺。其中，薄膜晶体管阵列基板包括：栅电极、有源层，栅电极和有源层通过黑矩阵隔离；源电极、漏电极和沟道；彩色滤光层，像素电极。本发明的显示器包括本发明的薄膜晶体管阵列基板。本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造工艺，包括在基板上形成栅线和栅电极的图形；形成黑矩阵的图形；形成有源层和源/漏电极的图形；形成彩色滤光层的图形；形成像素电极的图形。本发明的薄膜晶体管阵列基板省去了栅绝缘层和保护层，同时免除了两次等离子气相成膜工序，显著缩短了工艺时间，降低了工艺的复杂度；同时有效减薄了基板厚度。本发明的薄膜晶体管阵列基板制造工艺有效减少了成膜次数，缩短了工艺时间。

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